- 产品型号 IPZA65R018CFD7XKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 HIGH POWER_NEW
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1 21.54
- 30 17.86
- 120 16.74
- 510 14.29
技术细节
- 安装类型 TO-247-4
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 106A (Tc)
- 25°C时的电阻值 18mOhm @ 58.2A, 10V
- 套圈材料 446W (Tc)
- 势垒类型 4.5V @ 2.91mA
- 最大交流电压 PG-TO247-4-3
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 650 V
- 234 nC @ 10 V
- 11660 pF @ 400 V
相关产品
SIC DISCRETE
库存: 47
AUTOMOTIVE_COOLMOS
库存: 148
HIGH POWER_NEW
库存: 0
HIGH POWER_NEW
库存: 231
MOSFET N CH
库存: 0
650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
库存: 0
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
库存: 143
MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
库存: 205
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
库存: 269
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
库存: 0
