- 产品型号 NTH4L025N065SC1
- 品牌 Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- 描述 SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1 20.08
- 10 17.69
- 450 13.86
技术细节
- 安装类型 TO-247-4
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 99A (Tc)
- 25°C时的电阻值 28.5mOhm @ 45A, 18V
- 套圈材料 348W (Tc)
- 势垒类型 4.3V @ 15.5mA
- 最大交流电压 TO-247-4L
- 皮带长度 15V, 18V
- 步进数量 +22V, -8V
- 650 V
- 164 nC @ 18 V
- 3480 pF @ 15 V
相关产品
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
库存: 0
SIC DISCRETE
库存: 57
HIGH POWER_NEW
库存: 0
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
库存: 501
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
库存: 2330
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
库存: 735
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
库存: 342
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
库存: 286
750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
库存: 3841
