- 产品型号 SCTH40N120G2V-7
- 品牌 STMicroelectronics
- RoHS Yes
- 描述 SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1000 12.35
技术细节
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 36A (Tc)
- 25°C时的电阻值 100mOhm @ 20A, 18V
- 套圈材料 238W (Tc)
- 势垒类型 4.9V @ 1mA
- 最大交流电压 H2PAK-7
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +22V, -10V
- 1200 V
- 61 nC @ 18 V
- 1233 pF @ 800 V
相关产品
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
库存: 260
SIC DISCRETE
库存: 259
SIC DISCRETE
库存: 0
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
库存: 0
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
库存: 43
SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
库存: 0
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
库存: 0
SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
库存: 0
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
库存: 0
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
库存: 294
