- 产品型号 SCTL90N65G2V
- 品牌 STMicroelectronics
- RoHS Yes
- 描述 SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 3000 22.54
技术细节
- 安装类型 8-PowerVDFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 40A (Tc)
- 25°C时的电阻值 24mOhm @ 40A, 18V
- 套圈材料 935W (Tc)
- 势垒类型 5V @ 1mA
- 最大交流电压 PowerFlat™ (8x8) HV
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +22V, -10V
- 650 V
- 157 nC @ 18 V
- 3380 pF @ 400 V
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