- 产品型号 SCTW100N65G2AG
- 品牌 STMicroelectronics
- RoHS Yes
- 描述 SICFET N-CH 650V 100A HIP247
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1 35.09
- 30 29.09
- 120 27.27
技术细节
- 安装类型 TO-247-3
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 200°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 100A (Tc)
- 25°C时的电阻值 26mOhm @ 50A, 18V
- 套圈材料 420W (Tc)
- 势垒类型 5V @ 5mA
- 最大交流电压 HiP247™
- 直径 - 肩部 Automotive
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +22V, -10V
- 650 V
- 162 nC @ 18 V
- 3315 pF @ 520 V
- AEC-Q101
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