- 产品型号 IGLD60R190D1AUMA3
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 GAN HV
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 3000 2.91
技术细节
- 安装类型 8-LDFN Exposed Pad
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 10A (Tc)
- 套圈材料 62.5W (Tc)
- 势垒类型 1.6V @ 960µA
- 最大交流电压 PG-LSON-8-1
- 步进数量 -10V
- 600 V
- 157 pF @ 400 V
相关产品
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
库存: 15879
TRANS GAN BUMPED DIE
库存: 12647
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
库存: 2234
GANFET N-CH
库存: 1489
GAN HV
库存: 4106
GAN HV
库存: 4892
GAN HV
库存: 800
GANFET N-CH
库存: 959
650 V 95 A GAN FET
库存: 713
