- 产品型号 IPB019N08NF2SATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
- 分类 单 FET、MOSFET
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PDF
- 800 1.9
- 1600 1.62
- 2400 1.53
- 5600 1.47
技术细节
- 安装类型 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 166A (Tc)
- 25°C时的电阻值 1.95mOhm @ 100A, 10V
- 套圈材料 250W (Tc)
- 势垒类型 3.8V @ 194µA
- 最大交流电压 PG-TO263-3
- 皮带长度 6V, 10V
- 步进数量 ±20V
- 80 V
- 186 nC @ 10 V
- 8700 pF @ 40 V
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