- 产品型号 IMBG65R048M1HXTMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
- 分类 单 FET、MOSFET
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PDF
- 1000 6.19
技术细节
- 安装类型 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 45A (Tc)
- 25°C时的电阻值 64mOhm @ 20.1A, 18V
- 套圈材料 183W (Tc)
- 势垒类型 5.7V @ 6mA
- 最大交流电压 PG-TO263-7-12
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +23V, -5V
- 650 V
- 33 nC @ 18 V
- 1118 pF @ 400 V
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