- 产品型号 CGD65B200S2-T13
- 品牌 Cambridge GaN Devices
- RoHS Yes
- 描述 650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 5000 2.13
技术细节
- 安装类型 8-PowerVDFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部接触面镀层厚度 8.5A (Tc)
- 25°C时的电阻值 280mOhm @ 600mA, 12V
- 连接类型 Current Sensing
- 势垒类型 4.2V @ 2.75mA
- 最大交流电压 8-DFN (5x6)
- 皮带长度 9V, 20V
- 步进数量 +20V, -1V
- 650 V
- 1.4 nC @ 12 V
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