- 产品型号 GAN190-650FBEZ
- 品牌 Nexperia
- RoHS Yes
- 描述 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 2500 1.39
- 5000 1.34
技术细节
- 安装类型 8-PowerVDFN
- 匝数 Surface Mount, Wettable Flank
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 11.5A (Ta)
- 25°C时的电阻值 190mOhm @ 3.9A, 6V
- 套圈材料 125W (Ta)
- 势垒类型 2.5V @ 12.2mA
- 最大交流电压 DFN5060-5
- 皮带长度 6V
- 步进数量 +7V, -1.4V
- 650 V
- 2.8 nC @ 6 V
- 96 pF @ 400 V
相关产品
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
库存: 2234
100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
库存: 815
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
库存: 3614
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
库存: 3051
200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO
库存: 990
IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48LQFP
库存: 903
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
库存: 6507
