- 产品型号 TP44100SG
- 品牌 Tagore Technology
- RoHS No
- 描述 GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 3000 3.3
技术细节
- 安装类型 22-PowerVFQFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 19A (Tc)
- 25°C时的电阻值 118mOhm @ 500mA, 6V
- 势垒类型 2.5V @ 11mA
- 最大交流电压 22-QFN (5x7)
- 皮带长度 0V, 6V
- 步进数量 ±20V
- 650 V
- 3 nC @ 6 V
- 110 pF @ 400 V
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