- 产品型号 TP44200SG
- 品牌 Tagore Technology
- RoHS No
- 描述 GAN FET HEMT 650V .236OHM 22QFN
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:4483
定价:
- 3000 1.85
技术细节
- 安装类型 22-PowerVFQFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 10A (Tc)
- 25°C时的电阻值 236mOhm @ 500mA, 6V
- 势垒类型 2.5V @ 5.5mA
- 最大交流电压 22-QFN (5x7)
- 皮带长度 0V, 6V
- 步进数量 ±20V
- 650 V
- 1.5 nC @ 6 V
- 55 pF @ 400 V
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