- 产品型号 TP65H480G4JSG
- 品牌 Transphorm
- RoHS No
- 描述 MOSFET 650V, 480mOhm
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 4000 1.49
技术细节
- 安装类型 3-PowerTDFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 3.6A (Tc)
- 25°C时的电阻值 560mOhm @ 3.4A, 8V
- 套圈材料 13.2W (Tc)
- 势垒类型 2.8V @ 500µA
- 最大交流电压 3-PQFN (5x6)
- 皮带长度 8V
- 步进数量 ±18V
- 650 V
- 9 nC @ 8 V
- 760 pF @ 400 V
相关产品
GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
库存: 2960
650 V 95 A GAN FET
库存: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
库存: 590
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
库存: 540
650 V 34 A GAN FET
库存: 193
650 V 34 A GAN FET
库存: 213
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
库存: 3791
GAN FET N-CH 650V PQFN
库存: 2834
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
库存: 6507
GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6
库存: 3926
