- 产品型号 TP65H150G4LSG
- 品牌 Transphorm
- RoHS No
- 描述 GAN FET N-CH 650V PQFN
- 分类 单 FET、MOSFET
- 3000 2.35
技术细节
- 安装类型 3-PowerTDFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 13A (Tc)
- 25°C时的电阻值 180mOhm @ 8.5A, 10V
- 套圈材料 52W (Tc)
- 势垒类型 4.8V @ 500µA
- 最大交流电压 3-PQFN (8x8)
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 650 V
- 8 nC @ 10 V
- 598 pF @ 400 V
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