库存:1502
定价:
  • 1 34.91
  • 30 28.94
  • 120 27.13

技术细节

  • 安装类型 TO-247-3
  • 匝数 Through Hole
  • 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 200°C (TJ)
  • 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
  • 外部触点镀层 N-Channel
  • 外部接触面镀层厚度 90A (Tc)
  • 25°C时的电阻值 25mOhm @ 50A, 18V
  • 套圈材料 390W (Tc)
  • 势垒类型 5V @ 250µA
  • 最大交流电压 HiP247™
  • 皮带长度 18V
  • 步进数量 +22V, -10V
  • 650 V
  • 157 nC @ 18 V
  • 3300 pF @ 400 V

相关产品


SIC MOS TO247-3L 650V

库存: 178

650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

库存: 441

SICFET N-CH 650V 93A TO247N

库存: 1493

SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7

库存: 66

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

库存: 2740

SICFET N-CH 650V 45A HIP247

库存: 0

SICFET N-CH 650V 45A HIP247

库存: 0

TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247

库存: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

库存: 600

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

库存: 8

Top