- 产品型号 TP90H050WS
- 品牌 Transphorm
- RoHS No
- 描述 GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1 17.29
- 30 13.99
技术细节
- 安装类型 TO-247-3
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C
- 功能 - 照明 GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 34A (Tc)
- 25°C时的电阻值 63mOhm @ 22A, 10V
- 套圈材料 119W (Tc)
- 势垒类型 4.4V @ 700µA
- 最大交流电压 TO-247-3
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 900 V
- 17.5 nC @ 10 V
- 980 pF @ 600 V
相关产品
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
库存: 60
650 V 95 A GAN FET
库存: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
库存: 590
650 V 34 A GAN FET
库存: 213
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
库存: 317
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
库存: 43
MOSFET 650V, 480mOhm
库存: 0
