- 产品型号 IMYH200R100M1HXKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SIC DISCRETE
- 分类 单 FET、MOSFET
- 1 25.65
- 10 22.79
- 240 18.6
技术细节
- 安装类型 TO-247-4
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 26A (Tc)
- 25°C时的电阻值 131mOhm @ 10A, 18V
- 套圈材料 217W (Tc)
- 势垒类型 5.5V @ 6mA
- 最大交流电压 PG-TO247-4-U04
- 皮带长度 15V, 18V
- 步进数量 +20V, -7V
- 2000 V
- 55 nC @ 18 V
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