- 产品型号 SCT50N120
- 品牌 STMicroelectronics
- RoHS Yes
- 描述 SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1 29.24
- 30 24.24
- 120 22.73
- 510 19.39
技术细节
- 安装类型 TO-247-3
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 200°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 65A (Tc)
- 25°C时的电阻值 69mOhm @ 40A, 20V
- 套圈材料 318W (Tc)
- 势垒类型 3V @ 1mA
- 最大交流电压 HiP247™
- 皮带长度 20V
- 步进数量 +25V, -10V
- 1200 V
- 122 nC @ 20 V
- 1900 pF @ 400 V
相关产品
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
库存: 1283
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
库存: 646
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
库存: 53932
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
库存: 433
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
库存: 233
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
库存: 0
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
库存: 0
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
库存: 294
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
库存: 378
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
库存: 600
