- 产品型号 SCTWA20N120
- 品牌 STMicroelectronics
- RoHS Yes
- 描述 IC POWER MOSFET 1200V HIP247
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1 17.45
- 10 16.04
- 30 15.37
- 120 13.55
- 270 12.88
- 510 12.05
技术细节
- 安装类型 TO-247-3
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 200°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 20A (Tc)
- 25°C时的电阻值 239mOhm @ 10A, 20V
- 套圈材料 175W (Tc)
- 势垒类型 3.5V @ 1mA (Typ)
- 最大交流电压 HiP247™ Long Leads
- 皮带长度 20V
- 步进数量 +25V, -10V
- 1200 V
- 45 nC @ 20 V
- 650 pF @ 400 V
相关产品
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
库存: 172
HIP247 IN LINE
库存: 564
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
库存: 499
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
库存: 43
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
库存: 0
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
库存: 842
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
库存: 0
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
库存: 0
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
库存: 294
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
库存: 600
